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国内外第三代半导体材料政策布局及技术前沿
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        第三代半导体材料是提升新一代信息技术核心竞争力的重要支撑。第一代半导体材料以硅(Si)和锗(Ge)等元素半导体为代表,奠定了微电子产业基础;第二代半导体材料以砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)为代表,奠定了信息产业基础;以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料,因具备禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速率高、抗辐射能力强等优越性能,是固态光源和电力电子、微波射频器件的“核芯”,在半导体照明、新一代移动通信、能源互联网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域有广阔的应用前景,有望突破传统半导体技术的瓶颈,与第一代、第二代半导体技术互补,对节能减排、产业转型升级、催生新的经济增长点将发挥重要作用。

        目前,美、欧、日等各国积极进行第3代半导体技术的战略部署。随着SiC、GaN器件的制备工艺逐步成熟,其生产成本也在不断降低,第3代半导体正以其优良的性能突破传统硅基材料的瓶颈,逐步进入硅基半导体市场,有望引领新一轮产业革命。在中国政府的积极推进下,第三代半导体技术显著提升,政策全面加速,资本积极进入,企业加快布局,南北基地启动,第三代半导体产业在中国加速发展。

        一、政策布局

        1.发达国家政策布局
        美国等发达国家为了抢占第三代半导体技术的战略制高点,通过国家级创新中心、协同创新中心、联合研发等形式,将企业、高校、研究机构及相关政府部门等有机地联合在一起,通过协同组织,共同投入,实现第三代半导体技术的加速进步,引领、加速并抢占全球第三代半导体市场,在支持方向上则更加关注以应用需求带动研发,引导资源进入产品级的开发和市场终端应用。

        2.我国近期政策布局
        “十二五”以来,我国开展了跨学科、跨领域的研发布局,在新材料、能源、交通、信息、自动化、国防等各相关领域分别组织国内科研院所和企业联合攻关,部分解决了第三代半导体材料和器件制备的关键技术问题。2016年作为“十三五”开局之年,科技部、工信部、国家发改委等多部委出台多项政策,对第三代半导体材料进行布局。从政策的内容来看,科技创新仍是重点,产业化布局、专业人才储备、投资鼓励、产业园规划建设、生产制造扶植等方面的支持政策也逐步出台,力争全面实现“换道超车”。

        地方政策也在2016年大量出台,福建、广东、江苏、北京、青海等27个地区出台第三代半导体相关政策(不包括LED)近30条。一方面多地均将第三代半导体写入“十三五”相关规划(17项)另一方面不少地方政府有针对性对当地具有一定优势的SiC和GaN材料企业进行扶持。

        详细信息请咨询:0351-4040820



信息来源:研究中心
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